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NTD30N02的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD30N02

源漏极间雪崩电压VBR(V):24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200

最大漏极电流Id(on)(A):30

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DPAK/-55~150

描述:30A,24V逻辑电平的功率MOSFET

价格/1片(套):￥4.30
 
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