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NTD32N06L的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:NTD32N06L

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23.700

最大漏极电流Id(on)(A):32

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DPAK/-55~175

描述:32A,60V功率MOSFET

价格/1片(套):¥6.00