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NTD32N06LT4G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD32N06LT4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):28

最大漏极电流Id(on)(A):32

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150

描述:32 A, 60 V功率MOSFET

价格/1片(套):￥5.80
 
 
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