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NTE4151PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTE4151PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360

最大漏极电流Id(on)(A):0.760

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150

描述:-20 V, -760 mA,功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.20
 
 
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