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NTF2955T1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTF2955T1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170

最大漏极电流Id(on)(A):2.600

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150

描述:-60 V, -2.6 A,功率MOSFET

价格/1片(套):￥3.60
 
 
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