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NTF6P02T3G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTF6P02T3G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50

最大漏极电流Id(on)(A):6

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150

描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET

价格/1片(套):￥3.60
 
 
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