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NTGD1100LT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTGD1100LT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55

最大漏极电流Id(on)(A):3.300

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):TSOP6/-55~150

描述:8V，3.3A P沟道MOSFET

价格/1片(套):￥2.00
 
 
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