委托交易 - 会员收费标准 - 广告收费标准 - 汇款方式 - 联系我们 - 免责申明 - 行业黑名单 - 型号导航 设为首页 | 加入收藏夹 | 中文版 | 英文版
 
 
打造国内最大的IC交易平台
技术资料 行业资讯 PDF资料 IC价格 IC替换 缩略语 IC供应 IC采购
当前位置： 首页 > 技术资料 > 电子综合 > NTHC5513T1G的技术参数
NTHC5513T1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHC5513T1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80

最大漏极电流Id(on)(A):3.900

通道极性:N/P沟道

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.40
 
 
客服热线
0755-26000950 0755-26007355
相关技术资料