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NTHD2102PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHD2102PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V

最大漏极电流Id(on)(A):1

通道极性:P/P沟道

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:-4.6A, -8V双功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.60
 
 
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