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NTHD3101FT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHD3101FT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80

最大漏极电流Id(on)(A):4.400

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):ChipFET /-55~150

描述:-20 V, -4.4 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.76
 
 
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