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NTHD4401PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHD4401PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155

最大漏极电流Id(on)(A):3

通道极性:P

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:20V,3A,P沟道双MOSFET

价格/1片(套):￥4.50
 
 
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