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NTHD4502NT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHD4502NT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85

最大漏极电流Id(on)(A):3.900

通道极性:N

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET

价格/1片(套):暂无
 
 
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