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NTHD4P02FT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHD4P02FT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155

最大漏极电流Id(on)(A):3

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.80
 
 
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