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NTHS2101PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHS2101PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25

最大漏极电流Id(on)(A):7.500

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:-8 V, -7.5 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.80
 
 
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