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NTHS5443T1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTHS5443T1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65

最大漏极电流Id(on)(A):4.900

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:-20V, -4.9 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥2.44
 
 
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