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NTJS3151PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTJS3151PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60

最大漏极电流Id(on)(A):3.300

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150

描述:12 V, 3.3 A, 功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.60
 
 
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