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NTLJD2105LTBG的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTLJD2105LTBG

源漏极间雪崩电压VBR(V):-8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V

最大漏极电流Id(on)(A):4.300

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150

描述:4.3A, 8V功率MOSFET

价格/1片(套):暂无
 
 
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