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NTMD2C02R2SG的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTMD2C02R2SG

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43

最大漏极电流Id(on)(A):5.200

通道极性:N/P

封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150

描述:20V,5.2A,N/P沟道双MOSFET

价格/1片(套):暂无
 
 
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