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NTMS10P02R2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTMS10P02R2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14

最大漏极电流Id(on)(A):1.600

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150

描述:20 V, 10 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥7.00
 
 
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