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NTMS4107NR2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTMS4107NR2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.400

最大漏极电流Id(on)(A):1.800

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150

描述:30 V, 18 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥8.60
 
 
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