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NTMS5P02R2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTMS5P02R2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33

最大漏极电流Id(on)(A):5.400

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150

描述:-20 V, -5.4 A, 功率MOSFET

价格/1片(套):￥3.80
 
 
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