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NTMSD3P102R2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTMSD3P102R2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85

最大漏极电流Id(on)(A):3

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150

描述:增强型功率MOSFET集成肖特基二极管

价格/1片(套):￥3.70
 
 
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