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NTP35N15G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTP35N15G

源漏极间雪崩电压VBR(V):150

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50

最大漏极电流Id(on)(A):37

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150

描述:37 A, 150 V功率MOSFET

价格/1片(套):￥18.00
 
 
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