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NTP75N03-6G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTP75N03-6G

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.3@10V

最大漏极电流Id(on)(A):75

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):3TO220AB/-55~150

描述:75A,30V功率MOSFET

价格/1片(套):￥13.02
 
 
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