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NTR1P02T1的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTR1P02T1

源漏极间雪崩电压VBR(V):-20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V

最大漏极电流Id(on)(A):-1

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.20
 
 
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