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NTR1P02T1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTR1P02T1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180

最大漏极电流Id(on)(A):1

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150

描述:-20 V, -1 A,双功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.20
 
 
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