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NTR4101PT1G的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:NTR4101PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.500

最大漏极电流Id(on)(A):3.200

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150

描述:-20 V, -3.2 A,双功率MOSFET

价格/1片(套):¥1.30

 
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