源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.500
最大漏极电流Id(on)(A):3.200
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-20 V, -3.2 A,双功率MOSFET
价格/1片(套):¥1.30