源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.200
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:20 V, 3.2 A双功率MOSFET
价格/1片(套):¥1.30