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NTR4502PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTR4502PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200

最大漏极电流Id(on)(A):1.950

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150

描述:-30V, -1.95 A,双功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.30
 
 
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