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NTZD3152PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTZD3152PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):900

最大漏极电流Id(on)(A):0.430

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150

描述:-20 V, -430 mA 双功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.80
 
 
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