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NTZS3151PT1G的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:NTZS3151PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150

最大漏极电流Id(on)(A):0.950

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150

描述:-20 V, -950 mA 双功率MOSFET带ESD保护

价格/1片(套):¥1.85