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MM3Z3V3TT1G的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:MM3Z3V3TT1G

齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.100

齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300

齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500

@Izt(mA):5

齐纳阻抗Zzt(Ω):95

最大功率PMax(W):0.200

芯片标识:5

封装/温度(℃):SOD323/-65~150

价格/1片(套):暂无