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MM3Z6V2ST1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MM3Z6V2ST1G

齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.060

齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200

齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.330

@Izt(mA):100

齐纳阻抗Zzt(Ω):10

最大功率PMax(W):0.200

芯片标识:TE

封装/温度(℃):SOD323/-65~150

价格/1片(套):暂无
 
 
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