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MMSZ12ET1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MMSZ12ET1G

齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400

齐纳击穿电压Vz典型值(V):12

齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600

@Izt(mA):5

齐纳阻抗Zzt(Ω):25

最大功率PMax(W):0.500

芯片标识:CM9

封装/温度(℃):SOD123/-55~150

价格/1片(套):暂无
 
 
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