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MMSZ8V2T1G的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:MMSZ8V2T1G

齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.790

齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200

齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.610

@Izt(mA):5

齐纳阻抗Zzt(Ω):15

最大功率PMax(W):0.500

芯片标识:V4

封装/温度(℃):SOD123/-55~150

价格/1片(套):¥.40