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MJD112G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MJD112G

类型:NPN

集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100

集电极最大电流IC(Max)(A):2

直流电流增益hFE最小值(dB):500

直流电流增益hFE最大值(dB):12000

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25

总功耗PD(W):20

封装/温度(℃):3DPAK/-65~150

价格/1片(套):暂无
 
 
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