关键词：高电子迁移率晶体管, 碰撞电离率, 可靠性评估

分类号：TN3　文献标识码：A

文章编号：1000-3290/2003/52(10)/2576-04

基金项目：国家自然科学基金(批准号: 60206006)和国防预研基金(批准号: 00J8.4.3DZ01)资助的课题.

作者单位：刘红侠（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071）　

　　　　　郑雪峰（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071）　

　　　　　韩晓亮（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071）　

　　　　　郝跃（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071）　

　　　　　张绵（信息产业部十三所,石家庄,050002）　

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