| 端接DDR DRAM的电源电路 |
| 类别:电子综合 |
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DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(VREF=VDD/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5~28V下工作。 IC1的200kHz固定频率PWM控制器通过提供源流和吸收电流来保持输出电压。最大源电流等于最大吸收电流,但吸收电流没有限流作用。IC1吸收电流时,将某些电流返回电源输入端。为了实现跟踪功能,IC1额外的线性稳压控制器之一被配置成一个倒相放大器。这一放大器将VDD/2(由R1和R2产生)与来自IC1的VREF进行比较,产生一个误差信号,误差信号通过R3到达IC1的FB引脚,从而迫使VOUT跟踪VDD/2。为实现精密跟踪,必须用一只10mA的负载电阻器R4来给倒相放大器提供偏量。当VDD为1~4V时,VOUT可跟踪VD D/2。 图1 该电路可为DDR同步DRAM生成终端电压。
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