| MLC与SLC FLASH 技術 |
| 类别：存储器 |
| MLC（Multi-Level-Cell）技术，由英特尔于1997年率先推出，能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案，可大幅节省制造商端的成本，但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC（Single-Lecel_Cell） 内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点，MLC颗粒制成的产品只有10X（1.5Mbyte/sec）的写入速度，SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X（3.2Mbyte/sec）的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功，能够让单个存储单元保存两倍的数据量；
SLC 与 MLC 的参数对比： Item SLC MLC 电压 3.3V/1.8V 3.3V 生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um 页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB 访问时间（最大） 25us 70us 页编程时间（典 型） 250us 1.2ms 可否局部编程 Yes No 擦写次数 100K 10K 数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S |
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