在以这种方式构造的相变存储器单元原型内，编程操作电流为100微安，电源电压为1.5伏。五氧化钽(Ta2O5)界面层与相变薄膜之间的电势可令存储器单元加工时稳定性增强。

常规相变存储器必须要加热相变薄膜材料，以超过熔点，使薄膜返回到非晶状态，这需要1毫安的电流或更多。五氧化钽界面层结构可克服与材料有关的发热问题。温度上升到熔点迅速，从而消耗较少能量。与其它非易失性存储器相比，相变存储器有潜力做到高度紧凑，提供更快编程和写入速度。