图1 IR4010的原理框图

　　如图1所示，电路由两个比较器来实现控制。比较器COMP1控制内部功率MOSFET关断，其上电压大于Vth（1）（0.7 V）时关断功率MOSFET，此电压来自串在功率MOSFFΓ源极的电流检测电阻。比较器COMP（2）控制功率MOSFET的开通，当其上电压小于Vth（2）（1.4 V）时，接通功率MOSFET，开通电压由反激式电压波形的整形电压提供，此电路由辅助偏压绕组加一些二极管、电阻、电容组成。整形后的波形加到5脚的反馈端与COPM（2）的Vth（2）进行比较以决定功率MOSFET开通的时间。通过改变反馈光耦三极管中的电流变化来控制功率MOSFET的Ton，Toff开关频率也随之变化。Ton,Toff时间越长，工作频率越低；反之，频率升高，从而实现变频工作控制。

　　虽然此器件是频率控制，但并不是像谐振电路那样的频率调制（PFM），在变频过程中，Ton变化速率比Toff的变化速率大，此电路实质上是改变频率的占空比调制，但又不同于固定频率的PWM调制。

　　在实际工作中满载时的频率最低，空载时频率最高。这是变频控制的一大优点。因为电路在轻载时工作频率高，输出滤波非常容易，而对频率调制电路来说，却成为一大难题。