如果需要抑制的瞬时电流脉冲宽度超过3 μS（低于3μS由ISL6140芯片内建的滤波器来控制）就需要图1所示的由C3和R7组成的低通滤波器来滤除。R7的值不能太大，推荐使用100Ω。脉冲的宽度由下式来确定：

　　式中 U（t）——触发电压；

Ui——过电流保护时在R1上的电压；

U（to）——正常工作时电流在R1上的电压。

　　例如，系统的正常工作电流是1 A，在2.5 A时过流保护，R1为20 mΩ，需要滤除50 μS、5 A的电流脉冲。计算如下：

　　如果R1＝100Ω，那么C3应选1 μF．

　　注意：N沟道场效应管应选择能持续通过更大电流的型号。因为ISL6140芯片不能限制电流的大小，RC滤波器只是起到延迟关断FET的效果。如果FET的工作电流小于瞬时过流的电流值，就有可能使FET受损。

　　R4要比R5，民大得多，在选择电阻参数时，应首先选择R4，OV及UV的灌电流设定在100 μA左右。

　　例如，50V输入电压，曳可以选500 kΩ，那么R5、R6可以选10 kΩ左右的电阻。为了消除外界瞬时脉冲对电路的影响，在UV对VEE或OV与UV之间加上滤波器也是不错的方法。