由于阴极电子的高速撞击，电子管的屏极表面均会有二次电子发射出来。在三极电子管中，二次电子产生的后果不明显，因为这些被撞击出来的二次电子没有别的出路，只有返回屏极。但在有帘栅极的电子管中，由于帘栅极同屏极一样相对于阴极处于高的正电位，当屏压由于动态负载变化的原因，降至比帘栅极电压还要低时，这时帘栅极就会吸收二次电子，则明显减小屏极的电流，使屏极电流电压特性曲线产生弯曲失真。为了改变这种状况，在四极管的基础上增加一个抑制栅极，其作用主要是为了消除在屏极上产生的二次电子发射的影响。

其物理意义是：从阴极发射出来的电子受到屏极和帘栅极正电场的加速作用，以很高的速度撞击屏极，导至屏极表面的部分电子获得足够的动能而飞出屏极表面，我们把这些因撞击而飞出去的电子叫做二次电子，原来从阴极发射的电子叫做一次电子。当屏压从零增加时，屏流随着屏压的增加而增加，如图14的0-a段所示。随着屏压的增加，将吸引更多的电子飞向屏极。屏极在电子撞击下开始发射二次电子，二次电子被比屏极电位高的帘栅极吸收，屏流随之减小，如图14的a-b段所示。屏压越高，一次电子的速度越快，二次电子的数目越多，屏流因此越小。直到屏压接近帘栅压后，屏极开始把二次电子吸引回去，屏流才由减小转为增加，如图14的b-C段所示。可见由于二次电子发射现象，电子管屏压与屏流的变化是不规则的，特别是在a-b段时，屏压增加时屏流反而减小，就会使被放大的信号与输人的信号极不相似，这就是失真。

如果在屏极与帘栅极之间加人抑制栅极，并且与阴极相连接，即与阴极同电位，相对于屏极电位为负值，那么二次电子会被抑制栅极排斥，仍然返回屏极。抑制栅极的作用可用图巧来说明，从而使电子管具有较好的特性。