该电子止蔚器电路由鼾声检测电路、前置放大电路、脉冲发生电路和脉冲变换电路等组成，如图6-120所示。

电路中，鼾声检测电路由传声器（话筒）BM、限幅二极管VD1、VD2、藕合电容器C1和选频元件R1、C2等组成。

前置放大电路由运算放大集成电路IC（Nl一N3）内部的运算放大器N1、N2和外围元器件组成；脉冲发生电路（属于低频自激振荡器）由IC内部的运算放大器N3和外围阻容元件组成；脉冲变换电路由开关管V、升压变压器T和电位器RP3等组成。

在传声器BM未检测到鼾声时，运算放大器N2的输出端（IC的8脚）无音频信号输出，V D4因负极为低电平而处于导通状态，脉冲发生电路不工作，无低频脉冲信号输出，脉冲变换电路也无脉冲电压输出。

当使用者打蔚时，传声器BM将鼾声变换成音频电信号，此信号经前置放大器放大至一定增益后，从放大器N2的输出端输出，经二极管VD3整流、电容器C7滤波后，使V D4的负极变为高电平，V D4反偏截止，脉冲发生电路振荡工作，从放大器N3的输出端输出低频脉冲信号（频率为2Hz），该脉冲信号经脉冲变换电路升压变换后，在a、b两端产生脉冲电压。

调节RP1的阻值，可以改变N2的放大增益，从而改变鼾声检测的灵敏度；调节RP2的阻值，可改变V D4动作的灵敏度；调节RP3的阻值，可以改变电脉冲幅度的大小。

改变电容器C8的容量，可以改变脉冲发生电路的工作频率。

元器件选择

R1一R15和R17选用1/4W或1/&W碳膜电阻器；R16选用1W金属膜电阻器。

RPl和RP2选用小型电位器或密封式可变电阻器；RP3选用带开关的小型合成碳膜电位器。

C1、C2、C4和C5选用独石电容器或涤纶电容器；C3和C6均选用高频瓷介电容器； C7一C9均选用耐压值为16V的铝电解电容器。

VD1一VD4均选用1 N4148型硅开关二极管。

VS选用5. 1 V、1/2W硅稳压二极管。

VL选用频信号输出，V D4因负极为低电平而处于导通状态，脉冲发生电路不工作，无低频脉冲信号输出，脉冲变换电路也无脉冲电压输出。

当使用者打蔚时，传声器BM将鼾声变换成音频电信号，此信号经前置放大器放大至一定增益后，从放大器N2的输出端输出，经二极管VD3整流、电容器C7滤波后，使V D4的负极变为高电平，V D4反偏截止，脉冲发生电路振荡工作，从放大器N3的输出端输出低频脉冲信号（频率为2Hz），该脉冲信号经脉冲变换电路升压变换后，在a、b两端产生脉冲电压。

调节RP1的阻值，可以改变N2的放大增益，从而改变鼾声检测的灵敏度；调节RP2的阻值，可改变V D4动作的灵敏度；调节RP3的阻值，可以改变电脉冲幅度的大小。

改变电容器C8的容量，可以改变脉冲发生电路的工作频率。

元器件选择

R1一R15和R17选用1/4W或1/&W碳膜电阻器；R16选用1W金属膜电阻器。

RPl和RP2选用小型电位器或密封式可变电阻器；RP3选用带开关的小型合成碳膜电位器。

C1、C2、C4和C5选用独石电容器或涤纶电容器；C3和C6均选用高频瓷介电容器； C7一C9均选用耐压值为16V的铝电解电容器。

VD1一VD4均选用1 N4148型硅开关二极管。

VS选用5. 1 V、1/2W硅稳压二极管。

VL选用中3mm的红色发光二极管。

V选用FN02 C或MJE13005、KD55型达林顿晶体管。

IC选用LM324型集成运算放大电路。

T选用3一5AV、6V的电源变压器，使用时将其一次绕组接RP3，其二次绕组接十6V电源和V1的集电极。

BM选用驻极体传声器（话筒）或带助声腔的频信号输出，V D4因负极为低电平而处于导通状态，脉冲发生电路不工作，无

低频脉冲信号输出，脉冲变换电路也无脉冲电压输出。

当使用者打蔚时，传声器BM将鼾声变换成音频电信号，此信号经前置放大器放大至一定增益后，从放大器N2的输出端输出，经二极管VD3整流、电容器C7滤波后，使V D4的负极变为高电平，V D4反偏截止，脉冲发生电路振荡工作，从放大器N3的输出端输出低频脉冲信号（频率为2Hz），该脉冲信号经脉冲变换电路升压变换后，在a、b两端产生脉冲电压。

调节RP1的阻值，可以改变N2的放大增益，从而改变鼾声检测的灵敏度；调节RP2的阻值，可改变V D4动作的灵敏度；调节RP3的阻值，可以改变电脉冲幅度的大小。

改变电容器C8的容量，可以改变脉冲发生电路的工作频率。

元器件选择

R1一R15和R17选用1/4W或1/&W碳膜电阻器；R16选用1W金属膜电阻器。

RPl和RP2选用小型电位器或密封式可变电阻器；RP3选用带开关的小型合成碳膜电位器。

C1、C2、C4和C5选用独石电容器或涤纶电容器；C3和C6均选用高频瓷介电容器； C7一C9均选用耐压值为16V的铝电解电容器。

VD1一VD4均选用1 N4148型硅开关二极管。

VS选用5. 1 V、1/2W硅稳压二极管。

VL选用Φ3mm的红色发光二极管。

V选用FN02 C或MJE13005、KD55型达林顿晶体管。

IC选用LM324型集成运算放大电路。

T选用3一5AV、6V的电源变压器，使用时将其一次绕组接RP3，其二次绕组接十6V电源和V1的集电极。

BM选用驻极体传声器（话筒）或带助声腔的中27 mm的压电陶瓷片。

V选用FN02 C或MJE13005、KD55型达林顿晶体管。

IC选用LM324型集成运算放大电路。

T选用3一5AV、6V的电源变压器，使用时将其一次绕组接RP3，其二次绕组接十6V电源和V1的集电极。

BM选用驻极体传声器（话筒）或带助声腔的Φ27 mm的压电陶瓷片。