（1)特性

XC6209F内置固定的参考电压源、误差修正电路、限流电路、相位补偿电路及低内阻的

MOSFET，具有高纹波抑制、低输出噪声、低压差的性能。

XC6209F兼容体积比担电容更小的陶瓷电容，而且不需使用0 ．1μF的By-pass电容，更能

节省空间。其极佳的高速响应特性能应付负载电流的波动，特别适合手持及射频产品。通过

控制芯片上的CE脚可将输出关断，在关断后的功耗在0.1μA以下。

输出电压采用激光微调技术设定，可设定在0.9~6.0 V范围内；1.5V或以下输出精度

为士30 mV,1. 5 V以上输出精度为士2％。

(2)内部电路

XC6209F的内部电路框图如图所示。

(3)应用电路

XC6209F有SOT-25, SOT-89-5及更小更薄的USP-6B封装，以适合不同的需要。

XC6209F可广泛应用在手机、无绳电话、照相机、蓝牙及其他射频产品中。其典型应用电路如

图所示。