直接取自电话线路。

工作原理

光祸合电话防盗打器电路原理图如图2一55所示。电路中L1、皿为电话线，VD2与VL为电话机正常使用提供通路。当无人摘机且线路正常时，电话线上的48一60V直流电压经VD1、B2与R3，使稳压管VSl击穿，晶体管VT3导通，其集电极输出低电平，晶体管VT2与VT1均截止，555时基集成电路IC2无电压不工作，压电陶瓷片B不发声。电话用户自己摘机打电话时，VL点亮发光指示，此时光祸合器ici内部的发光二极管也点亮发光，使其内部的光敏晶体管导通，即IC 1的5脚输出低电平，亦即使VT2的基极钳位在低电平，VT2, VTl截止，IC2仍不工作。若电话已挂机但电话外线被人并机盗打，这时VL因无电流流过

而不发光，同理ici内的发光二极管也不发光，ici的5脚为高电平。但此时外线因盗打摘机使电话线电压跌落，稳压管VSI截止，VT3也随之截止，其集电极输出高电平，故使晶体管VT2基极获得正向偏流导通，VTl由原来的截止态转为导通态，线路电压经VS2稳压、C1退藕使IC2得电工作，IC2接成典型的低频自激多谐振荡器，B即发出报警声通知电话用户有人盗打电话，同时报警信号也馈人电话线路进行干扰，使盗打者无法正常通话。

元器件选择

IC1光祸合器选用4N25型；IC2应采用CMOS型时基集成电路，如567555等。

VT1用2N5401型高反压电话专用晶体管，要求电流放大系数β≥100；VT2选用2N5551型电话专用晶体管，也可用9013型等硅NPN型晶体管，要求电流放大系数夕〕100；VT3选用9014型等硅NPN型晶体管，要求电流放大系数β≥1500

VL选用绿色发光二极管，因绿色发光二极管的管电压降较高，因此它点亮 的同时仍能使光藕合器ICl中的发光二极管点亮工作。VSl选用18V, 0.5W稳压二极管，如UZ-18B型等，VS2选用3.9V、0.5W稳压二极管，如1N5228,1N5228B、2CW5228等型号。

B可选用FT-27或HTD27A-1等型号的压电陶瓷片。

其他元器件均无特殊要求，可按图所标型号及参数进行选用。