清华微电子推出高频管分立器件裸片，已做到9G截止频率

　　此前,研究人员发展了铜和银修饰方法来代替金作为有机场效应的源漏电极并得到了高性能器件，之后通过纳米结构电极的构筑，研究了电极形貌与器件性能的关系。近期，该实验室在低成本高性能有机场效应晶体管的研究方面又取得新进展，他们利用低功函数的铜为源漏电极制备了高性能的上电极结构的有机场效应晶体管。

　　对于有机光电器件，电极的功函和有机半导体的能级决定了载流子的注入，并在很大程度上影响器件的性能。金电极能够和大多数p型有机半导体形成良好的接触，从而被广泛用作p型有机场效应晶体管的源漏电极。通过系统的实验设计和器件表征发现，铜电极在蒸镀是空气储存的过程中会形成少量的铜的氧化物，这有利于降低载流子注入的势垒和提高器件的性能。此外，良好的电极/半导体接触也是铜上电极器件具有高性能的原因。这一研究为有机场效应晶体管的实用化奠定了良好的基础。