CY14B1022MbitnvSRAM与CY14B1088MbitnvSRAM均符合ROHS指令，可直接取代SRAM、电池供电的SRAM、EPROM及EEPROM器件，毋需安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从SRAM传输到nvSRAM器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到SRAM中。上述两种操作都能通过软件控制实现。新型nvSRAM采用赛普拉斯的S8™0.13微米硅氧化氮氧化硅(SONOS)嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。

　　2Mbit和8Mbit的nvSRAM支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。

　　nvSRAM是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的SRAM而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器(MRAM)或铁电存储器(FRAM)更加经济可靠。2Mbit和8Mbit的nvSRAM是赛普拉斯nvSRAM产品系列中的最新成员，该系列旗下目前已实现量产的其它产品还包括16Kbit、64Kbit、256Kbit、1Mbit和4Mbit的器件。

　　作为SONOS工艺技术的领先公司，赛普拉斯将在新一代PSoC®混合信号阵列、OvationONS™激光导航传感器、可编程时钟及其它产品中采用S8技术。SONOS与标准CMOS工艺高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗辐射加固等众多优势。此外，SONOS相对于其它嵌入式非易失性存储器技术而言，也是一款更稳健、更易于制造、更低成本的解决方案。

　　赛普拉斯的2Mbit和8Mbit的nvSRAM目前已提供样品，预计将于2008年第三季度开始投产。上述产品可采用48引脚FBGA封装以及44引脚和54引脚的TSOPII封装。此类非易失性SRAM是根据赛普拉斯公司此前与西姆泰克公司（SimtekCorporation）签订的协作产品开发协议而共同开发的器件系列中的第二批产品。