委托交易 - 会员收费标准 - 广告收费标准 - 汇款方式 - 联系我们 - 免责申明 - 型号导航 设为首页 | 加入收藏夹 | 中文版 | 英文版
 
 
打造国内最大的IC交易平台
技术资料 行业资讯 PDF资料 IC价格 IC替换 缩略语 IC供应 IC采购
当前位置： 首页 > 技术资料 > 单片机/DSP > AT29LV256在DSP并行引导装载模式中的应用
AT29LV256在DSP并行引导装载模式中的应用
类别：单片机/DSP  
 
摘要：介绍了ATMEL公司低电压AT29LV系列存储器的结构、特点及性能。同时结合TI公司DSP芯片TMS320VC5402的并行装载方式，给出了AT29LV256在实际应用中的硬件原理图和在线编程注意事项。最后以亮灯程序为例，给出了AT29LV256在线编程的关键程序。

关键词：数字信号处理器（DSPs) ；闪存；并行引导装载；在线编程；AT29LV256

Ｆｌａｓｈ存储器是一种高密度、非易失的电可擦写存储器。它具有功耗低、容量大、速度快等特点，而且单位存储比特的价格比传统的ＥＰＲＯＭ要低，因而大量应用于数字信号处理系统中。Ｆｌａｓｈ 可分为并行Ｆｌａｓｈ和串行Ｆｌａｓｈ。串行Ｆｌａｓｈ与外围芯片连接简单，可节约印制板空间，但存储量相对较小且成本高。同时串行通信速度较慢，编程也比较复杂。并行Ｆｌａｓｈ芯片则具有存储量大、速度快、使用方便等优点。ＡＴＭＥＬ公司生产的ＡＴ２９ＬＶ系列低电压存储器就是一种并行、高性能、可支持３Ｖ在线编程的Ｆｌａｓｈ存储器。对Ｆｌａｓｈ编程除了可以采用专用的硬件编程器把程序代码烧写到Ｆｌａｓｈ中外，还可利用ＤＳＰ的开发系统通过软件编程来实现同样的功能。

ＴＭＳ３２０ＶＣ５４０２（以下简称Ｃ５４０２）是美国德州仪器公司（ＴＩ）推出的一款性价比极高的定点数字信号处理器（ＤＳＰ）。该芯片内置４ｋ×１６ｂｉｔ片内屏蔽式ＲＯＭ（Ｆ０００－ＦＦＦＦ），且在４ｋＢ ＲＯＭ资源里包含了Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序。Ｃ５４０２的Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ在系统加电时会把外部源程序传送到内部存储器或内部程序空间。它允许程序放在外部较慢的存储器或微处理器中，并将其调到高速的ＤＲＡＭ存储器中运行，从而大大减小了对Ｃ５４０２内部掩膜的需要，降低了电路的设计成本。

本文在笔者实际使用经验的基础上，详细介绍了ＡＴ２９ＬＶ２５６在Ｃ５４０２并行引导装载模式下的软件编程技术，给出了并行装载的数据流和系统的硬件设计，最后以亮灯程序为例给出了对ＡＴ２９ＬＶ２５６编程时的具体步骤及方法。

　　１ ＡＴ２９ＬＶ２５６编程技术

ＡＴ２９ＬＶ２５６是ＡＴＭＥＬ公司生产的容量为３２ｋ×８ｂｉｔ、可支持３Ｖ在系统编程的Ｆｌａｓｈ存储器。ＡＴ２９ＬＶ２５６将存储空间分成５１２个独立的扇区，每个扇区有６４个字节，其中Ａ６～Ａ１４用来选择扇区地址，Ａ０～Ａ５选择字节地址。每个扇区的编程操作最长需要２０ｍｓ，而其读操作与一般的ＳＲＡＭ相同，时间为７０ｎｓ 。ＡＴ２９ＬＶ２５６在编程之前，片内对应扇区会自动擦除，因而不需要额外的擦除命令。同时芯片还提供了六个软件控制字以用于完成对整片的擦除，其整片擦除命令见表１所列。

表1 AT29LV256全片擦除命令

次 序

1st

2nd

3rd

4th

5th

6th

地 址

5555H

2AAAH

5555H

5555H

2AAAH

5555H

命令字

5555h

AAh

2AAAh

55h

5555h

90h

ＡＴ２９ＬＶ２５６的编程操作是以扇区为单位进行的。它内部有６４字节的数据缓冲器。如果写入缓冲器的字节数不足６４字节，则编程时自动将未写入的字节擦除为ＦＦＨ。一旦某一扇区中的字节被装入，这些字节将同时在内部编程时间进行编程，此时若有数据装入，则会产生不确定的数据。每一个新装载的数据若要被编程，必须有ＷＥ由高到低的跳变，这一跳变需要在１５０μｓ内完成，如果超过１５０μｓ，器件会自动进入扇区内部编程方式。为了防止意外的编程操作，ＡＴ２９ＬＶ２５６提供有软件保护编程功能，在对Ｆｌａｓｈ 的每个扇区进行编程时，必须先将３个命令字正确地写入到对应的地址单元，然后才能向片内编写程序。在对每一个扇区编程之前，都要执行相同的三字节指令序列，采用软件保护编程的具体流程如图１所示。

通过ＡＴ２９ＬＶ２５６提供的软硬件操作可识别芯片的系列号和型号。当按图２顺序写入控制字后，即可读到产品识别码１Ｆ和器件识别码ＢＣ。器件识别完成后，若需开始编写程序，则应退出器件识别，并延时２０ｍｓ，为了减小编程的等待时间，ＡＴ２９ＬＶ２５６提价有下列两种检测编程周期是否结束的方式：

（１） 循环检测方式。该方式首先读出写入本扇区最后一个单元的内容，若其Ｉ／Ｏ７位是写入该单元真实值的反码，则表明编程周期没有结束；若为实际值，则表明编程结束。

（２） 检测Ｉ／Ｏ６方式。该方式在扇区编程期间将连续读出任意单元地址的内容，若Ｉ／Ｏ６在连续读出时状态不一样，说明编程没有结束，若相同，则表明编程周期已经结束。

　　２ Ｃ５４０２的自引导装载模式

Ｃ５４０２上电后，通常首先检查ＭＰ／ＭＣ引脚的状态：如果为高电平，说明ＤＳＰ处于微处理器工作模式，此时便可从外部程序存储器０ＦＦ８０ｈ地址处开始执行用户程序；若为低电平，说明ＤＳＰ被设置为微计算机模式，此时则从片内ＲＯＭ的０ＦＦ８０ｈ地址开始执行程序。另外，在Ｃ５４０２的０ＦＦ８０ｈ地址处存放着一条跳转至０Ｆ８００ｈ处执行ＤＳＰ自行引导装载（Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ）程序的指令。

当Ｃ５４０２执行Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序时，将会按ＨＰＩ引导装载模式→串行ＥＥＰＲＯＭ引导装载模式→并行引导装载模式→标准串行口引导装载模式→Ｉ／Ｏ口引导装载模式的顺序循环检测，以决定执行哪种启动模式。

Ｃ５４０２的并行引导装载模式是将程序代码数据从外界ＥＥＰＲＯＭ或Ｆｌａｓｈ的相应ＤＳＰ数据寻址区中加载到片内ＤＡＲＡＭ或系统的扩展存储器ＳＲＡＭ内。由于Ｃ５４０２的数据区寻址范围最大为６４ｋ 字 ，因此在不自行编写Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序的情况下，并行引导装载模式最大只能装载３２ｋ字的程序或数据。当程序数据大于３２ｋ时可将自己编写的并行装载内核程序通过片内装载程序传送到片内ＤＲＡＭ中，然后再运行转载内核程序以将大于３２ｋ字的程序数据送到片外ＳＲＡＭ中。

若采用并行装载模式对程序进行加载，则应根据并行装载的格式来配置Ｆｌａｓｈ的程序数据存储空间。可先在ＤＳＰ对应的数据空间ＦＦＦＥＨ和ＦＦＦＦＨ地址内写入要存放程序的地址，然后根据并行装载的数据流将标识控制字、各个寄存器的初始化值、装载后的起始运行地址、程序段的大小和装载地址依次写入Ｆｌａｓｈ的存放程序地址中，最后再写入所编写的程序，表２所列是Ｆｌａｓｈ中的并行引导源程序数据流。其程序段的大小以及起始运行地址可根据系统仿真时生成的．ＭＡＰ文件来确定。

表2 Flash中的并行引导源程序数据流
 
 
客服热线
0755-26000950 0755-26007355
相关技术资料