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  • 深圳市金和信科技有限公司(原金合讯)

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 八零友创集团

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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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配单直通车
IRF540产品参数
型号:IRF540
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):230 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):28 A
最大漏极电流 (ID):28 A
最大漏源导通电阻:0.077 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):135 ns
最大开启时间(吨):133 ns
Base Number Matches:1
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